Transistörler - IGBT - Tekil
RJH1BF7RDPQ-80#T2
IGBT 1100V 60A 250W TO247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH1BF7RDPQ
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Hakkında
RJH1BF7RDPQ-80#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 1100V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60A maksimum collector akımı ve 250W güç derecelendirmesiyle endüstriyel uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 2.35V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Vce kolektör-emiter kırılma voltajı 1100V olup, yüksek voltaj anahtarlama devreleri, motor kontrol üniteleri, AC/DC güç dönüştürücüleri ve inverter uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok