Transistörler - IGBT - Tekil
RJH1BF6RDPQ-80#T2
IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJH1BF6RDPQ
RJH1BF6RDPQ-80#T2 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJH1BF6RDPQ-80#T2, 1100V kollektör-emiter kırılım gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 55A maksimum kollektör akımı ve 227.2W maksimum güç derecelemesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç devrelerinde, motor sürücülerinde ve güç dönüştürücülerde yer alır. 2.7V sabit değer gerilimi (Vce(on)) 15V kapı gerilimi ve 55A kolektör akımında ölçülmüştür. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) olup, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar. Bileşen Üretim Sonlandırılmış (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 227.2 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 55A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok