Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RHRD660S9A
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RHRD660S9A
RHRD660S9A Hakkında
RHRD660S9A, onsemi tarafından üretilen 600V 6A kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 35 ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve UPS sistemlerinde doğrultma uygulamalarında kullanılır. 2.1V forward voltage ve 100µA reverse leakage current özellikleri ile verimli çalışma karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok