Transistörler - IGBT - Tekil
RGWS80TS65DGC13
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGWS80TS65
RGWS80TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS80TS65DGC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı 650V/71A kapasiteli bir IGBT transistördür. Yüksek hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olan bu bileşen, 40ns/114ns on/off gecikmesi ve 700µJ/660µJ anahtarlama enerjisi ile verimli çalışır. Gate charge değeri 83 nC olan cihaz, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, kaynak makinelerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 202W güç yayabilir. TO-247-3 paketinde sunulan IGBT, 400V/40A test koşullarında 2V Vce(on) değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 71 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 83 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 202 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Switching Energy | 700µJ (on), 660µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/114ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok