Transistörler - IGBT - Tekil
RGWS60TS65GC13
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGWS60TS65GC
RGWS60TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS60TS65GC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı hızlı anahtarlama tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 51A DC kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, 90A nabız akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 32ns açılış ve 91ns kapanış gecikmesi ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 58nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç elektronikleri devreleri, endüstriyel motor kontrol, enerji dönüştürme sistemleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 156W güç disipasyonu ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 156 W |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Switching Energy | 500µJ (on), 450µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok