Transistörler - IGBT - Tekil
RGWS60TS65DGC13
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGWS60TS65DGC13
RGWS60TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS60TS65DGC13, 650V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 51A DC collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 58nC gate charge ve 32ns/91ns açılış/kapanış gecikme süreleri ile yüksek hızlı anahtarlama performansı sağlar. 156W maksimum dissipasyon gücü ve 88ns reverse recovery time özelikleriyle inverter, motor sürücü ve DC-DC converter devrelerinde tercih edilir. TO-247-3 paket formatında sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olup, seri üretim uygulamalarında aktif olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 156 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Switching Energy | 500µJ (on), 450µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok