Transistörler - IGBT - Tekil
RGWS00TS65GC13
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGWS00TS65GC
RGWS00TS65GC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS00TS65GC13, yüksek hızlı hızlı anahtarlama tipinde Trench Field Stop IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 88A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 245W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 46ns açılış ve 145ns kapanış gecikmesi sürelerine sahip olup, hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur. TO-247-3 through-hole paketi ile endüstriyel invertörler, motor kontrolü, güç kaynakları ve traction uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kalıcı performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 88 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 108 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 245 W |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Switching Energy | 980µJ (on), 910µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/145ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok