Transistörler - IGBT - Tekil
RGWS00TS65DGC13
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGWS00TS65DGC13
RGWS00TS65DGC13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGWS00TS65DGC13, Trench Field Stop teknolojisine dayalı yüksek hızlı hızlı anahtarlama tipi IGBT transistördür. 650V kollektor-emitter bozulma voltajı ve 88A maksimum kollektor akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 245W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 46ns/145ns açılış/kapanış gecikmelerine sahiptir. Reverse recovery süresi 88ns olan bu bileşen, anahtarlama frekansının yüksek olması gereken uygulamalarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, invertörler, motor sürücüleri, şarj cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 88 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 108 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 245 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88 ns |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Switching Energy | 980µJ (on), 910µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/145ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok