Transistörler - IGBT - Tekil

RGW80TS65HRC11

HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RGW80TS65HRC11

RGW80TS65HRC11 Hakkında

RGW80TS65HRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı hızlı anahtarlama türü Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 650V kolektör-emitter gerilim ve 80A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 110nC gate charge değeri ve 42ns açılış / 148ns kapanış süresiyle düşük anahtarlama kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 1.9V açık kapanma gerilimi ile verimli enerji dönüşümü gerçekleştirir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalar gibi yüksek güç elektronik sistemlerinde kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Gate Charge 110 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 214 W
Supplier Device Package TO-247N
Td (on/off) @ 25°C 42ns/148ns
Test Condition 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok