Transistörler - IGBT - Tekil
RGW80TS65GC11
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW80TS65GC
RGW80TS65GC11 Hakkında
RGW80TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, şarj cihazlarında, UPS sistemlerinde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Maksimum collector akımı 78A, darbe akımı 160A'a kadar çıkabilir. 1.9V düşük Vce(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 214W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özelliği (44ns açılış, 143ns kapanış) ile minimal anahtarlama kayıpları elde edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 110 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 214 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 760µJ (on), 720µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok