Transistörler - IGBT - Tekil
RGW80TS65EHRC11
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW80TS65EHRC11
RGW80TS65EHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW80TS65EHRC11, 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 80A nominal kollektör akımı (160A pulslu) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde kullanılır. 43ns anahtarlama süresi (açılış) ve 148ns (kapanış) ile düşük enerji kaybı sağlar. 214W maksimum güç disipasyon özelliğine sahiptir. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans gösterir. İnverter, motor sürücü, anahtarlamalı güç kaynakları ve benzer power conversion sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 110 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 214 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 86 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 43ns/148ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok