Transistörler - IGBT - Tekil
RGW80TS65DHRC11
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW80TS65DHRC11
RGW80TS65DHRC11 Hakkında
RGW80TS65DHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 214W güç yönetimi ve 92ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına tasarlanmıştır. Gate charge değeri 110nC olan bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmakta ve -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. Td(on/off) değerleri 42ns/148ns olup, standart input tipine sahiptir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 110 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 214 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 42ns/148ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok