Transistörler - IGBT - Tekil
RGW80TS65CHRC11
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW80TS65CHRC11
RGW80TS65CHRC11 Hakkında
RGW80TS65CHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı anahtarlama tipi IGBT transistördür. 650V maksimum Vce(on) gerilim ile tasarlanmıştır ve 81A sürekli kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Darbe durumunda 160A'ye kadar akım taşıyabilir. 110nC gate charge ve düşük 33ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, inverterler, şopper devrelerinde ve servo sürücülerde kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 214W maksimum güç kapasitesi ile orta güçlü endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 81 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 110 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 214 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 33 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 120µJ (on), 340µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 43ns/145ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok