Transistörler - IGBT - Tekil

RGW80TK65GVC11

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11 Hakkında

RGW80TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM (SC-93-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılmaktadır. Maksimum collector akımı 39A, pulse akımı 160A olup, gate charge değeri 110nC'dir. Vce(on) gerilimi 15V gate geriliminde 40A akımda 1.9V'tur. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışan komponent, 81W maksimum güç dağılımına kapasitedir. Açılış ve kapanış switching enerji değerleri sırasıyla 760µJ ve 720µJ'dir. AC motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 39 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Gate Charge 110 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Power - Max 81 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Switching Energy 760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 44ns/143ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok