Transistörler - IGBT - Tekil
RGW80TK65DGVC11
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW80TK65DGVC11
RGW80TK65DGVC11 Hakkında
RGW80TK65DGVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM (SC-93-3) paketinde sunulan bu tekil IGBT, düşük açılış gecikmesi (44ns) ve hızlı kapanış karakteristiğine (143ns) sahiptir. Maksimum kollektor-emiter doyma gerilimi 1.9V@15V/40A olarak belirtilmiş olup, 81W güç dağıtımına sahiptir. 110nC gate charge ve 92ns reverse recovery time özellikleri ile enerji verimliliği sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 39 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 110 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 81 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 760µJ (on), 720µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok