Transistörler - IGBT - Tekil

RGW60TS65GC11

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RGW60TS65GC

RGW60TS65GC11 Hakkında

RGW60TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60A kolektör akımı, 120A darbe akımı ve 84nC gate yükü özellikleriyle güç dönüştürme ve inverter devrelerinde istihdam edilir. 37ns açılış ve 114ns kapanış gecikmesiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 1.9V tipik VCE(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Endüstriyel sürücü, klima sistemleri ve UPS uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 84 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 178 W
Supplier Device Package TO-247N
Switching Energy 480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 37ns/114ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok