Transistörler - IGBT - Tekil
RGW60TS65DGC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW60TS65DGC
RGW60TS65DGC11 Hakkında
RGW60TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/30A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum collector akımı 60A, pulse akımı 120A'dır. 84 nC gate charge ve düşük switching energy (480µJ on, 490µJ off) özellikleriyle verimli anahtarlama sağlar. Vce(on) değeri 1.9V @ 15V, 30A koşullarında ölçülmüştür. -40°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, invertör, motor sürücü, UPS ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 84 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 178 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 480µJ (on), 490µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/114ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok