Transistörler - IGBT - Tekil
RGW60TK65GVC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW60TK65GVC
RGW60TK65GVC11 Hakkında
RGW60TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 84nC gate charge ve düşük switching energy değerleri (480µJ on, 490µJ off) ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. 1.9V Vce(on) değeri ile minimum enerji kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak makineleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maximum 72W güç dağıtma kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 84 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 72 W |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 480µJ (on), 490µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/114ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok