Transistörler - IGBT - Tekil
RGW60TK65DGVC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW60TK65DGVC11
RGW60TK65DGVC11 Hakkında
RGW60TK65DGVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 1.9V düşük Vce(on) değeri ile verimli enerji kullanımı sağlar. 92ns hızlı reverse recovery time ile minimize edilmiş anahtarlama kayıpları sunar. Maksimum 72W güç disipasyonu ile endüstriyel inverterler, motor kontrol sürücüleri, güç kaynakları ve adaptif enerji yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 84 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 72 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 480µJ (on), 490µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/114ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok