Transistörler - IGBT - Tekil
RGW50TS65GC11
650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW50TS65GC
RGW50TS65GC11 Hakkında
RGW50TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 25A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 50A maksimum kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile AC/DC güç dönüştürücüleri, üniversal motor kontrol devreleri ve kaynak makinalarında yaygın şekilde uygulanır. 1.9V doyum voltajı, 73nC gate charge ve 35ns/102ns açılış/kapanış süreleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar ve 156W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 73 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 156 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 390µJ (on), 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/102ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok