Transistörler - IGBT - Tekil
RGW50TS65DGC11
650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW50TS65DGC11
RGW50TS65DGC11 Hakkında
RGW50TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 25A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevini gerçekleştirir. 50A maksimum kollektör akımı ve 100A impuls akımı ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 1.9V olup, enerji verimliliği açısından dikkat edilmiş bir tasarıma sahiptir. Switching energy değerleri (on: 390µJ, off: 430µJ) ile hızlı anahtarlama yetenekleri vardır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, kaynak makinaları ve güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 73 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 156 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 390µJ (on), 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/102ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok