Transistörler - IGBT - Tekil
RGW50TK65GVC11
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW50TK65GVC
RGW50TK65GVC11 Hakkında
RGW50TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı anahtarlamaya optimized edilmiş Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. 650V maksimum Vce(sat) voltajı ve 30A sürekli kolektör akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 73nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunar. 390µJ açılış ve 430µJ kapanış enerji değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile +175°C aralığında çalışmaya uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 73 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 67 W |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 390µJ (on), 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/102ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok