Transistörler - IGBT - Tekil
RGW50TK65DGVC11
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW50TK65DGVC11
RGW50TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW50TK65DGVC11, 650V kolektör-emiter aralığında çalışan, 30A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış yüksek hızlı IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak düşük switching kayıpları sağlar. TO-3PFM paketinde sunulan bu transistör, 1.9V on-state voltajı (Vce(on)) ve 92ns ters kurtarma süresi (trr) ile karakterize edilir. Gate charge değeri 73nC olup, hızlı kapat-aç işlemleri (Td on/off: 35ns/102ns) gerçekleştirmektedir. Maksimum 100A pulsed akım ve 67W güç disipasyonu kapasitesi vardır. -40°C ile +175°C arasında güvenli çalışır. Anahtarlama enerjisi 390µJ (açılış) ve 430µJ (kapanış) seviyesindedir. Enerji dönüşümü, güç yönetimi, motor sürücü uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 73 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 67 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 390µJ (on), 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/102ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok