Transistörler - IGBT - Tekil
RGW40TS65GC11
650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW40TS65GC
RGW40TS65GC11 Hakkında
RGW40TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 20A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. Maksimum 40A sürekli akım ve 80A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerinde kullanılır. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. 33ns açılış ve 76ns kapanış zamanı hızlı anahtarlamayı destekler. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Inverter, UPS, motor kontrol ve endüstriyel güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 136W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 59 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 136 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 330µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/76ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok