Transistörler - IGBT - Tekil
RGW40TS65DGC11
650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW40TS65DGC
RGW40TS65DGC11 Hakkında
RGW40TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/20A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 1.9V düşük geçiş voltajı (Vce(on)), 59nC gate charge ve 330µJ açılış/300µJ kapanış switching enerjisi ile verimli çalışma sağlar. 33ns/76ns hızlı anahtarlama süreleri (Td on/off) yüksek frekans uygulamalarına uygun kılmaktadır. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında, 136W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Enerji dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Aktif parça olarak piyasada mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 59 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 136 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 330µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/76ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok