Transistörler - IGBT - Tekil

RGW00TS65GC11

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RGW00TS65GC

RGW00TS65GC11 Hakkında

RGW00TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/50A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 254W maksimum güç kapasitesi ve 1.9V Vce(on) değeriyle DC/AC güç dönüşüm devreleri, motor kontrol uygulamaları, inverter ve UPS sistemlerinde tercih edilir. 52ns turn-on ve 180ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 96 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 141 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 254 W
Supplier Device Package TO-247N
Switching Energy 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 52ns/180ns
Test Condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok