Transistörler - IGBT - Tekil
RGW00TS65DGC11
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW00TS65DGC11
RGW00TS65DGC11 Hakkında
RGW00TS65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 50A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim ve orta-yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.9V düşük Vce(on) değeri, enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. 95ns reverse recovery süresi ve 52ns/180ns açılış/kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Maksimum 254W güç yönetimi kapasitesi ile AC/DC konvertörler, kaynak cihazları, motorlu uygulamalar ve endüstriyel inverter devrelerinde kullanılabilir. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 96 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 141 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 1.18mJ (on), 960µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 52ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok