Transistörler - IGBT - Tekil
RGW00TS65CHRC11
HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGW00TS65CH
RGW00TS65CHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW00TS65CHRC11, 650V Vce(sat) derecelendirilmiş yüksek hızlı IGBT transistörüdür. Maximum 96A sürekli collector akımı ve 200A pulsed akımı ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 141 nC olup, düşük Vce(on) değeri (1.9V @ 15V, 50A) ile verimli çalışma sağlar. Hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olup, on/off delay zamanları sırasıyla 49ns/180ns'dir. Reverse recovery time 33 ns ile minimize edilen anahtarlama kayıpları sayesinde, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve UPS sistemleri gibi anahtarlamalı güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. TO-247-3 through-hole paketi ile standart PCB montajı uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 96 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 141 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 33 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 180µJ (on), 420µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 49ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok