Transistörler - IGBT - Tekil

RGW00TK65GVC11

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11 Hakkında

RGW00TK65GVC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 50A Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 45A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe kapasitesi ile güç dönüştürme devrelerinde, inverter uygulamalarında ve motor sürücü sistemlerinde tercih edilir. 52ns açılış ve 180ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 45 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 141 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Power - Max 89 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Switching Energy 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 52ns/180ns
Test Condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok