Transistörler - IGBT - Tekil

RGW00TK65DGVC11

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGW00TK65DGVC11, 650V 50A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 45A sürekli kollektör akımı ve 200A pulslu akım kapasitesine sahiptir. TO-3PFM paket türünde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 52ns açılış ve 180ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 95ns ters kurtarma süresi (trr) ve 1.18mJ açılış + 960µJ kapanış enerji değerleriyle verimli performans sunar. AC/DC güç dönüştürme, motor kontrol, endüstriyel anahtarlama devreleri ve UPS sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 45 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 141 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Power - Max 89 W
Reverse Recovery Time (trr) 95 ns
Supplier Device Package TO-3PFM
Switching Energy 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 52ns/180ns
Test Condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok