Transistörler - IGBT - Tekil
RGTVX6TS65GC11
650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTVX6TS65GC
RGTVX6TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX6TS65GC11, 650V 80A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 144A kontinü akım ve 320A darbe akımı ile çalışabilir. 1.9V (15V, 80A'de) düşük Vce(on) değerine sahip olan transistör, anahtarlama kaybını minimize eder. Gate charge'ı 171nC olan cihaz, 2.65mJ açılış ve 1.8mJ kapanış enerjileri ile verimli komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, fotovoltaik inverterler ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. 404W maksimum güç kapasitesi ve standart giriş tipi ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 144 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 320 A |
| Gate Charge | 171 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 404 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 45ns/201ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok