Transistörler - IGBT - Tekil
RGTVX6TS65DGC11
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTVX6TS65DGC11
RGTVX6TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX6TS65DGC11, 650V derecelendirilmiş Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. Maksimum kolektör akımı 144A, darbe akımı 320A'dir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 404W güç dağıtabilen yüksek verimli bir anahtar elemanıdır. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 80A akımda 1.9V olup, düşük açılma kaybını gösterir. 171nC gate charge ve 2.65mJ açılma / 1.8mJ kapanma enerji değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, kaynak makinaları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 144 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 320 A |
| Gate Charge | 171 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 404 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 109 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 45ns/201ns |
| Test Condition | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 80A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok