Transistörler - IGBT - Tekil
RGTVX2TS65GC11
2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTVX2TS65GC11
RGTVX2TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX2TS65GC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 111A DC ve 240A pulse kolektör akımı ile tasarlanmış bu bileşen, endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması için kullanılır. 2µs short-circuit tolerance özelliğine sahip olan transistör, yüksek voltaj ve akım kontrolü gerektiren konvertör, motor sürücü ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 319W maksimum güç derecelendirmesi ve düşük gate charge (123nC) değeri ile hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 111 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 123 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 319 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 49ns/150ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok