Transistörler - IGBT - Tekil
RGTVX2TS65DGC11
650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTVX2TS65DGC11
RGTVX2TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTVX2TS65DGC11, 650V voltaj seviyesinde çalışan bir Field Stop Trench IGBT transistördür. 60A nominal akım kapasitesi ve 240A dürtü akımı ile güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sağlanan bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve solar enerji sistemleri gibi uygulamalarda yer alır. Düşük Vce(on) değeri (1.9V @ 15V, 60A) ve hızlı anahtarlama özellikleri (49ns açılış, 150ns kapanış) sayesinde verimliliği artırır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Maksimum 319W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 111 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 123 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 319 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 49ns/150ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok