Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV80TS65GC11
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV80TS65GC
RGTV80TS65GC11 Hakkında
RGTV80TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Gate charge 81 nC ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Darbe akımı 160A'ye ulaşabilen cihaz, inverter, motor sürücü, kaynak makinaları ve endüstriyel güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasındadır. 234W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve düşük switching energy değerleri ile enerji verimli tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 81 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 234 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 1.02mJ (on), 710µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok