Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV80TS65DGC11
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV80TS65DGC
RGTV80TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV80TS65DGC11, 650V kollektör-emitter diyot gerilimi ile çalışan 40A (pulse'da 160A) kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlanmış güç uygulamalarında yüksek voltaj kontrolü gerektiren devrelerde kullanılır. 1.9V'luk düşük açık durumu gerilimi (Vce(on)), 78A maksimum kolektör akımı ve 101ns ters kurtarma süresi ile verimli iletim özelliği sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlayarak, endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC/AC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 81 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 234 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 101 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 1.02mJ (on), 710µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok