Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV80TK65GVC11
2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV80TK65G
RGTV80TK65GVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11, 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 39A (DC) ve 160A (darbe) kollektör akımı kapasitesine sahip olup, 85W maksimum güç yönetebilir. 2µs kısa devre toleransı ile korunmalı tasarımlanmıştır. Gate charge 81nC, switching energy değerleri sırasıyla 1.02mJ (açılış) ve 710µJ (kapanış) şeklindedir. Vce(on) 1.9V @ 15V, 40A test koşullarında ölçülmüştür. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. TO-3PFM (SC-93-3) paketindedir. Endüstriyel motor sürücüleri, şarj cihazları, fotovoltaik invertörler ve elektrik taşıtları uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 39 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 81 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 85 W |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 1.02mJ (on), 710µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok