Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV80TK65DGVC11
2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV80TK65
RGTV80TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11, Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir adet IGBT transistördür. 650V maksimum kolektor-emiter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 39A sürekli kolektor akımı ve 160A pulsed akımı ile ağır yüklü devreleri anahtarlamaya uygundur. 2µs kısa devre toleransı sayesinde güç elektronikleri, inverter, motor kontrol ve kaynak cihazlarında korunmalı çalışır. TO-3PFM pakette sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında sıcaklıkta çalışabilir. Düşük açılış/kapanış gecikmesi (39ns/113ns) ve optimize edilmiş switching enerji değerleri ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 39 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 81 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 85 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 101 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 1.02mJ (on), 710µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 39ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok