Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV60TS65GC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV60TS65GC
RGTV60TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TS65GC11, 650V çalışma voltajına sahip bir Trench Field Stop IGBT transistördür. 30A sürekli kolektör akımı ve 120A nabız akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Gate şarjı 64nC ve 1.9V Vce(on) değeriyle düşük iletkenim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama enerjisi 570µJ açılış ve 500µJ kapanış değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrolü, fotovoltaik inverterler ve kaynak makineleri gibi yüksek frekanslı güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 194 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok