Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV60TS65DGC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV60TS65DGC11
RGTV60TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TS65DGC11, 650V çalışma gerilimine sahip 30A kollektör akımı kapasiteli bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.9V düşük açık durum gerilimi ve 95ns hızlı geri kazanım süresi ile karakterizedir. 64nC kapı yükü, 570µJ açılış ve 500µJ kapalış anahtarlama enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 194W maksimum güç kapasitesi ve 120A darbe kollektör akımı ile yüksek yoğunluk uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 194 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok