Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV60TK65GVC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV60TK65GVC11
RGTV60TK65GVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TK65GVC11, 650V 30A kapasitesine sahip Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 33ns açılış ve 105ns kapanış hızıyla hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gate charge değeri 64nC olup, on/off enerji kayıpları sırasıyla 570µJ ve 500µJ'dir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 76W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 76 W |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok