Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV60TK65DGVC11
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV60TK65DGVC11
RGTV60TK65DGVC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV60TK65DGVC11, 650V kollektör-emitör breakdown voltajı ile tasarlanmış Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 30A sürekli kollektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 76W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 1.9V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 95ns geri kurtarma zamanı (trr) ve 33ns/105ns açılma/kapanma gecikmesi yüksek frekanslı anahtarlama işlemlerine uygundur. TO-3PFM/SC-93-3 paketlemesi ile sağlanan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 76 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok