Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV00TS65DGC11
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV00TS65DGC11
RGTV00TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV00TS65DGC11, 650V ve 50A nominal akım değerine sahip bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 200A darbe akımı kapasitesi ve düşük Vce(on) değeri (1.9V) ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile +175°C arasında stabil performans gösterir. Switching energy değerleri (1.17mJ on, 940µJ off) ve 102ns reverse recovery time ile yüksek hızlı uygulamalara uygundur. Güç kaynakları, motorlu sistemler, AC/DC konvertörler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi ağır yük uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 95 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 104 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 276 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 102 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Switching Energy | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 41ns/142ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok