Transistörler - IGBT - Tekil
RGTV00TK65DGC11
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTV00TK65DGC11
RGTV00TK65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTV00TK65DGC11, 650V/50A sınıfında bir Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-3PFM paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. 104 nC gate charge ve 1.9V @ 15V, 50A VCE(on) değerleriyle düşük konversiyon kayıpları sağlar. 41ns/142ns açılış/kapanış gecikmesi (Td) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 102 ns reverse recovery time ve 1.17mJ (on) / 940µJ (off) switching energy değerleri ile verimli performans sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışan bu IGBT, inverter devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve elektrik konverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 200A pulse current kapasitesi ani yük değişimlerine karşı dayanıklılık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 104 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 94 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 102 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Switching Energy | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 41ns/142ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok