Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH80TS65GC11
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH80TS65GC
RGTH80TS65GC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH80TS65GC11, 650V kollektör-emitör dağılım gerilimi ile tasarlanmış yüksek voltajlı bir Trench Field Stop IGBT transistördür. 40A sabit ve 160A darbe kollektör akımı kapasitesine sahip bu komponent, anahtarlama uygulamalarında düşük geçiş kaybı sağlamak için optimize edilmiştir. 2.1V maksimum Vce(on) değeri ve 34ns/120ns hızlı anahtarlama süreleri ile güç dönüştürücü, inverter, UPS sistemleri ve endüstriyel motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır ve 234W maksimum güç yönetebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 79 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 234 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/120ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok