Transistörler - IGBT - Tekil

RGTH80TK65GC11

IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RGTH80TK65GC

RGTH80TK65GC11 Hakkında

RGTH80TK65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 31A sürekli collector akımı ve 160A pulse akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponentin maksimum gate charge değeri 79 nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri (Td on/off: 34ns/120ns) sayesinde güç dönüştürücü, inverter ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş uygulama alanı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 31 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Gate Charge 79 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Part Status Active
Power - Max 66 W
Supplier Device Package TO-3PFM
Td (on/off) @ 25°C 34ns/120ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok