Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH80TK65DGC11
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH80TK65DGC
RGTH80TK65DGC11 Hakkında
RGTH80TK65DGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3PFM/SC-93-3 kılıfında sunulan bu bileşen, 31A sabit kolektör akımı ve 160A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 2.1V düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 79nC gate charge ve 34ns/120ns hızlı anahtarlama karakteristiği ile yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir operasyon sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, lehimleme cihazları ve benzeri anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. 66W maksimum güç dağılımı kapasitesi, kompakt tasarım gerektiren uygulamalara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 79 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 66 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/120ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok