Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH60TS65GC11
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH60TS65GC
RGTH60TS65GC11 Hakkında
RGTH60TS65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 58A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj ve akım kontrolü için tasarlanmıştır. Maksimum 197W güç disipasyonuna sahip olan transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeri ve 27ns/105ns açılma/kapanma zamanları ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, kaynak makinaları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 58 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 197 W |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok