Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH60TS65DGC11
IGBT 650V 58A 194W TO-247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH60TS65DGC
RGTH60TS65DGC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RGTH60TS65DGC11, 650V collector-emitter diyelectric gerilimi ile çalışan bir Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 58A sabit akım kapasitesi ve 120A pulse akımı ile tasarlanan bu komponentin maksimum güç yayılımı 194W'tır. TO-247-3 paketinde gelen transistör, -40°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 400V, 30A şartlarında 2.1V olarak belirtilmiştir. 58ns ters derişme süresi (reverse recovery time) ve 27ns/105ns açılma/kapanma gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 58nC gate charge değeri ile düşük kapılama enerjisine sahiptir. Endüstriyel sürücü uygulamaları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve switching power supply'lerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 58 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 194 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok