Transistörler - IGBT - Tekil
RGTH60TK65GC11
IGBT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RGTH60TK65GC
RGTH60TK65GC11 Hakkında
RGTH60TK65GC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 28A sürekli collector akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 61W maksimum güç harcaması ve 2.1V (15V, 30A şartlarında) Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 58nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-3PFM/SC-93-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Sanayi sürücüsü uygulamaları, güç kaynakları, konverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 28 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 58 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 61 W |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok